第244章 不可一蹴而就的晶片（2/2）

如果没问题，就要用外接时钟源给相位锁定环电路起振，看锁相环能不能锁定到目標频率。

全部没问题的话，晶片才会用来做功能验证。

把晶片装在验证板上，用预先准备的一组已知结果的矩阵乘法来测试，脉动阵列开始跑，每个周期输出一行部分和，与已经算好的参考值逐拍比对。

如果行列对齐错了，那是控制逻辑的bug。如果计算结果偏了几个比特，那是某个乘法器或加法器的电路有问题。

最后，就是做电压频率扫描，画工作曲线。 从最低工作电压往上扫，看每个电压点能跑到多高的频率再出错。这个数据决定后续量產晶片的功耗和时钟策略。

最终测试结果有好有坏，基本上也没太出乎意料。

一发入魂，直接成功，那都是黑科技小说中才有的桥段。

实际上晶片製造，几乎是不可能不出问题的。

三星做的28纳米摩卡测试晶片，出了些问题，但是还算可控。

几条关键路径在標称电压下偶尔会算错，应该是硅上的实际rc延迟比仿真大了百分之几。

但整颗晶片的逻辑是通的，脉动阵列可以跑通，只不过得把核心电压从0.9v提到0.95v才能稳定跑满目標频率。功耗多百分之十，但不是功能性问题。

万果园做的40纳米拿铁测试晶片，出的问题几乎都是因为技术不成熟。

用来存脉动阵列的权重寄存器，还有可调锁相迴路，都是咖啡项目组自己设计的，並不是常规的標准单元库。

三星毕竟是经验丰富，完全没有问题，但这种定製模擬宏对於万果园来说有点超纲了。

sram在低频下读写正常，但把频率拉到標称值之后，个別比特位开始翻转。

项目组复查了半天，最终確认是金属通孔的寄生电容模型在pdk里偏了几飞法。

可调锁相迴路也是如此，锁定范围仿真时一切正常，实硅上却窄了一大截，因为压控振盪器的电感q值被低估了。

总之，问题很多，还得调。

不过结果也不算很差，三星方面证明了基础设计架构没有问题。

万果园也得到了重要数据，至少知道了需要补齐哪些模型参数。

加上之后开始帮高通代工，晶圆厂的技术总会慢慢成熟的。

相比於咖啡项目组，隔壁的seele项目组在经歷了3个月的研发后，终於推出了1.0版本。